| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB107N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 | 1,726 | 1:$8.54000 10:$7.73800 25:$7.09320 100:$6.44820 250:$5.80340 500:$5.31976 |
| IPB107N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 | 1,726 | 1:$8.54000 10:$7.73800 25:$7.09320 100:$6.44820 250:$5.80340 500:$5.31976 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 88A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 10.7 毫歐 @ 88A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 270µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 87nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 7100pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 300W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝: | PG-TO263-2 |
| 包裝: | Digi-Reel® |