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分離式半導體產品 IPD079N06L3 G品牌、價格、PDF參數

IPD079N06L3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
IPD079N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 2,500 2,500:$0.52906
5,000:$0.50261
12,500:$0.48182
25,000:$0.46860
62,500:$0.45348
BSZ0904NSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON 8,677 1:$1.51000
10:$1.34800
25:$1.18960
100:$1.07060
250:$0.93176
500:$0.83266
1,000:$0.65423
2,500:$0.61458
BSZ0904NSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON 8,677 1:$1.51000
10:$1.34800
25:$1.18960
100:$1.07060
250:$0.93176
500:$0.83266
1,000:$0.65423
2,500:$0.61458
IPD60R750E6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3 3,786 1:$1.42000
10:$1.27400
25:$1.12440
100:$1.01200
250:$0.88080
500:$0.78708
1,000:$0.61842
IPD60R750E6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252 2,500 2,500:$0.52472
5,000:$0.49848
12,500:$0.47787
25,000:$0.46475
62,500:$0.44976
IPD079N06L3 G • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 50A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 7.9 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 34µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4900pF @ 30V
功率 - 最大: 79W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝: PG-TO252-3
包裝: 帶卷 (TR)