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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIB911DK-T1-E3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIB911DK-T1-E3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIB911DK-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V PWRPAK SC75-6 0 1:$0.79000
25:$0.60680
100:$0.53550
250:$0.46412
500:$0.39270
1,000:$0.31238
SQJ964EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.28250
SI7964DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.16100
SI4933DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH DUAL 12V 8-SOIC 0 2,500:$1.10700
SI4818DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC 0 2,500:$1.10700
SI4816DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC 0 2,500:$1.10700
SI4562DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 0 2,500:$1.09755
SQJ844EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.08000
SIB911DK-T1-E3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: 2 個 P 溝道（雙）
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 295 毫歐 @ 1.5A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 4nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 115pF @ 10V
功率 - 最大: 1.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SC-75-6L 雙
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SC-75-6L 雙
包裝: Digi-Reel®