分離式半導體產品 SI4562DY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數
SI4562DY-T1-GE3 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數量 |
價格 |
| SI4562DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC |
0 |
2,500:$1.09755
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| SQJ844EP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
0 |
3,000:$1.08000
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SI4562DY-T1-GE3 PDF參數
| 類別: |
分離式半導體產品
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| FET 型: |
N 和 P 溝道
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| FET 特點: |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
20V
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| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: |
-
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| 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
25 毫歐 @ 7.1A,4.5V
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| Id 時的 Vgs(th)(最大): |
1.6V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
50nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
-
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| 功率 - 最大: |
-
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
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| 供應商設備封裝: |
8-SOICN
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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