| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| 2N7002DW H6327 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 | 5,964 | 1:$0.44000 10:$0.31500 25:$0.24880 100:$0.18900 250:$0.13388 500:$0.10710 1,000:$0.08190 |
| 2N7002DW H6327 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 | 3,000 | 3,000:$0.06300 6,000:$0.05670 15,000:$0.05040 30,000:$0.04725 75,000:$0.04190 150,000:$0.03938 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 300mA |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3 歐姆 @ 500mA，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 0.6nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 20pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 500mW |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供應商設備封裝: | PG-SOT363-6 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |