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參數資料
| 型號： | FDD107AN06LA0 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 10A, 107m |
| 中文描述： | 3.4 A, 60 V, 0.091 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封裝： | TO-252AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | FDD107AN06LA0 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD107AN06LA0 Rev. A1
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
10
100
0.1
1
10
60
500
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 30V
I
D
= 10A
I
D
= 1A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| FDD10AN06A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 10.5mз |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FDD10AN06A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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