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參數資料
| 型號： | FGL60N170D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Electrical Characteristics of IGBT |
| 中文描述： | 60 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 558K |
| 代理商： | FGL60N170D |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FGL60N170D Rev. B
F
Fig 1. Typical Output Chacracteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Case Temperature
Fig 4. Typical Capacitance vs.
Collector to Emitter Voltage
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
0
20
40
60
80
100
20V
15V
10V
8V
V
GE
= 6V
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
25
50
75
100
125
150
2
3
4
5
6
7
I
C
= 60A
I
C
= 80A
Common Emitter
V
GE
= 15V
I
C
= 30A
C
C
Case Temperature, T
C
[
o
C]
1
10
0
1000
2000
3000
4000
5000
Common Emitter
V
GE
=0V, f=1MHz
T
C
=25
o
C
Cies
Coes
Cres
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
60A
Common Emitter
T
C
=25
o
C
80A
30A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
60A
Common Emitter
T
C
=125
o
C
80A
30A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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