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參數資料
| 型號： | FGL60N170D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Electrical Characteristics of IGBT |
| 中文描述： | 60 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 558K |
| 代理商： | FGL60N170D |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FGL60N170D Rev. B
F
Fig 7. Turn on Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 8. Turn off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 10. Turn on Characteristics vs.
Collector Current
Fig 11. Turn off Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Switching Loss vs. Collector Current
10
100
10
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 60A
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
tr
td(on)
S
Gate Resistance, R
G
[
]
10
100
100
1000
Common Emitter
V
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 60A
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
tf
td(off)
S
Gate Resistance, R
G
[
]
10
100
1000
10000
Common Emitter
V
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 60A
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
Eon
Eoff
S
μ
J
Gate Resistance, R
G
[
]
20
30
40
50
60
70
80
90
10
100
1000
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 51
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
tr
td(on)
S
Collector Current, I
C
[A]
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1000
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 51
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
tf
td(off)
S
Collector Current, I
C
[A]
20
30
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100
1000
10000
Eon
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 51
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
Eoff
S
μ
J
Collector Current, I
C
[A]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FGL60N170DTU | 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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| FGLG.02BK | 功能描述:INSULTHERM TRU-FIT 2AWG 250' RoHS:是 類別:線纜，導線 - 管理 >> 螺線形繞線，伸縮套管 系列:Insultherm™ Tru-Fit 標準包裝:25 系列:HR 類型:螺旋繞線（線束） 直徑:0.250"（6.35mm） 直徑 - 最大值:3.000"（76.2mm） 長度:100' (30.5m) 材質:聚四氟乙烯（PTFE） 特點:- 顏色:透明 其它名稱:11026017HR-8T(1/2)HR-8T(1/2)-NDHR8T(1/2) |
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