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參數資料
| 型號： | MDD172-18N1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | High Power Diode Modules |
| 中文描述： | 190 A, 1800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | MDD172-18N1 |
2000 IXYS All rights reserved
2 - 3
MDD 172
Fig. 1 Surge overload current
I
FSM
: Crest value, t: duration
Fig. 2 i
2
dt versus time (1-10 ms)
Fig. 2a Maximum forward current
at case temperature
Fig. 3
Power dissipation versus
forward current and ambient
temperature (per diode)
Fig. 4 Single phase rectifier bridge:
Power dissipation versus direct
output current and ambient
temperature
R = resistive load
L = inductive load
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MDD220-18N1 | High Power Diode Modules |
| MDD220-08N1 | High Power Diode Modules |
| MDD220 | High Power Diode Modules |
| MDD220-12N1 | High Power Diode Modules |
| MDD220-14N1 | High Power Diode Modules |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MDD175-28N1 | 功能描述:SCR模塊 High Power Diode Modules RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| MDD175-34N1 | 功能描述:SCR模塊 Dual Diode Modules Power Device RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| MDD1901RH | 制造商:MagnaChip 功能描述:Single N-channel Trench MOSFET 100V, 35A, 22m/ |
| MDD200 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Power Diode Modules DC supply for PWM inverter |
| MDD200-14N1 | 功能描述:分立半導體模塊 200 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
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