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參數資料
| 型號： | MDD172-18N1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | High Power Diode Modules |
| 中文描述： | 190 A, 1800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | MDD172-18N1 |
2000 IXYS All rights reserved
3 - 3
Fig. 5 Three phase rectifier bridge:
Power dissipation versus direct
output current and ambient
temperature
Fig. 6 Transient thermal impedance
junction to case (per diode)
Fig. 7 Transient thermal impedance
junction to
heatsink
(per diode)
R
thJK
for various conduction angles d:
d
R
thJK
(K/W)
DC
0.31
180
0.323
120
0.333
60
0.360
30
0.395
Constants for Z
thJK
calculation:
i
R
thi
(K/W)
1
0.0087
2
0.0163
3
0.185
4
0.1
t
i
(s)
0.001
0.065
0.4
1.29
MDD 172
R
thJC
for various conduction angles d:
d
R
thJC
(K/W)
DC
0.210
180
0.223
120
0.233
60
0.260
30
0.295
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
1
0.0087
2
0.0163
3
0.185
t
i
(s)
0.001
0.065
0.4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MDD220-18N1 | High Power Diode Modules |
| MDD220-08N1 | High Power Diode Modules |
| MDD220 | High Power Diode Modules |
| MDD220-12N1 | High Power Diode Modules |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MDD175-28N1 | 功能描述:SCR模塊 High Power Diode Modules RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| MDD175-34N1 | 功能描述:SCR模塊 Dual Diode Modules Power Device RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
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