| 型號(hào): | MDI100-12A3 |
| 廠商: | IXYS CORP |
| 元件分類: | IGBT 晶體管 |
| 英文描述: | IGBT Modules |
| 中文描述: | 135 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件頁(yè)數(shù): | 3/4頁(yè) |
| 文件大小: | 118K |
| 代理商: | MDI100-12A3 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MDI150-12A4 | IGBT Modules Short Circuit SOA Capability Square RBSOA |
| MDI300-12A4 | IGBT Modules |
| MDL2416C | 15 RED, 4-DIGIT, 16 SEGMENT PLUS DECIMAL HI-REL/MILITARY ALPHANUMERIC INTELLIGENT DISPLAY WITH MEMORY/DECODER/DRIVER |
| MDLM111-X | VOLTAGE COMPARATOR |
| MDLM117-H | POSITIVE THREE TERMINAL ADJUSTABLE VOLTAGE REGULATOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MDI145-12A3 | 功能描述:IGBT 模塊 145 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| MDI150-12A4 | 功能描述:IGBT 模塊 150 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| MDI200-12A4 | 功能描述:IGBT 模塊 200 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| MDI22511000016K | 制造商: 功能描述: 制造商:CALIFORNIA INST 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| MDI300-12A4 | 功能描述:IGBT 模塊 300 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |