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參數資料
| 型號： | W26L04 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 256K×16bit CMOS Static RAM(256K×16位CMOS靜態RAM) |
| 中文描述： | 256K × 16位的CMOS靜態RAM（256K × 16位的CMOS靜態RAM）的 |
| 文件頁數： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | W26L04 |
Preliminary W26L04
Publication Release Date: December 1999
- 9 -
Revision A1
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
(T
A
(
°
C) = -20 to 85 for LE; -40 to 85 for LI)
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
DD
for Data Retention
V
DR
CS
≥
V
DD
-0.2V
I
DDDR
CS
≥
V
DD
-0.2V, V
DD =
3.0V
T
CDR
See data retention waveform
1.5
-
-
V
Data Retention Current
-
-
5
μ
A
Chip Deselect to Data
Retention Time
0
-
-
nS
Operation Recovery Time
T
R
T
RC
*
-
-
nS
*
Read Cycle Time
DATA RETENTION WAVEFORM
T
CDR
V
DD
T
R
CS1
V
DR
1.5V
=
-0.2V
DD
V
CS
=
0.9 x
DD
V
0.9 x
DD
V
CS2
CS2
=
=
0V
0.2V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W26L11 | 64K×16bit CMOS Static RAM(64K×16位CMOS靜態RAM) |
| W26NM60 | N-CHANNEL 600V - 0.125ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh TM Power MOSFET |
| W27C010 | 128K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
| W27C010-15 | 128K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
| W27C010P-15 | 128K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W26NM50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.10ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh TM Power MOSFET |
| W26NM60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.125ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh TM Power MOSFET |
| W-27 | 制造商:Hozan Tool Industrial Co Ltd 功能描述: |
| W270-15TWL | 制造商:TAN 功能描述:WS727X015 |
| W-27-0809 | 制造商:Hozan Tool Industrial Co Ltd 功能描述: |
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