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參數資料
| 型號： | W28F641TT80L |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64MBIT (4MBIT 】 16) PAGE MODE DUAL WORK FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 80 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁數： | 17/31頁 |
| 文件大小： | 389K |
| 代理商： | W28F641TT80L |
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W28F641B/T
Publication Release Date: March 27, 2003
Capacitance
(1)
T
A
= +25
°
C, f = 1 MHz
PARAMETER
SYM.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITION
Input Capacitance
C
IN
6
8
pF
V
IN
= 0.0V
Output Capacitance
C
OUT
10
12
pF
V
OUT
= 0.0V
Note: Sampled, not 100% tested.
AC Input/Output Test Conditions
VDDQ
0.0
INPUT
VDDQ/2
OUTPUT
TEST POINTS
VDDQ/2
AC test inputs are driven at V
DDQ
(min) for a Logic "1" and 0.0V for a Logic "0".
Input timing begins, and output timing ends at V
DDQ
/2. Input rise and fall times (10% to 90%) < 5 nS.
Worst case speed conditions are when V
DD
= V
DD
(min).
Figure 5. Transient Input/Output Reference Waveform for V
DD
= 2.7V to 3.6V
VDDQ(min)/2
Includes Jig Capacitance
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
OUT
=3.3K ohm
R
L
C
L
C
L
Figure 6. Transient Equivalent Testing Load Circuit
Table 13. Configuration Capacitance Loading Value
TEST CONFIGURATION
V
DD
= 2.7V to 3.6V
C
L
(PF)
50
- 17 -
Revision A3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W28V400B | 4M(512K x 8/256K x 16) SMARTVOLTAGE FLASH MEMORY |
| W28V400BT85C | 4M(512K x 8/256K x 16) SMARTVOLTAGE FLASH MEMORY |
| W28V400T | 4M(512K x 8/256K x 16) SMARTVOLTAGE FLASH MEMORY |
| W28V400TT85C | 4M(512K x 8/256K x 16) SMARTVOLTAGE FLASH MEMORY |
| W29C011AP-15 | 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W28NK60Z | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600 V - 0.155з - 27A TO-247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
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| W28-SQ11A-15 | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
| W28-SQ11A-3 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:Circuit Breaker Thermal 1Pole 3A 250VAC/32VDC |
| W28-SQ11A-5 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:Circuit Breaker Thermal 1Pole 5A 250VAC/32VDC |
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