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參數資料
| 型號： | W29EE011P90B |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數： | 11/20頁 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | W29EE011P90B |
W29EE011
Publication Release Date: July 1999
- 11 -
Revision A12
Read Cycle Timing Parameters
(V
CC
= 5.0V
±
10
%
, V
CC
= 5.0
±
5
%
for 70 nS, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
PARAMETER
SYM.
W29EE011-90
W29EE011-15
UNIT
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Read Cycle Time
T
RC
90
-
150
-
nS
Chip Enable Access Time
T
CE
-
90
-
150
nS
Address Access Time
T
AA
-
90
-
150
nS
Output Enable Access Time
T
OE
-
45
-
70
nS
CE
Low to Active Output
T
CLZ
0
-
0
-
nS
OE
Low to Active Output
T
OLZ
0
-
0
-
nS
CE
High to High-Z Output
T
CHZ
-
45
-
45
nS
OE
High to High-Z Output
T
OHZ
-
45
-
45
nS
Output Hold from Address Change
T
OH
0
-
0
-
nS
Byte/Page-write Cycle Timing Parameters
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Write Cycle (Erase and Program)
T
WC
-
-
10
mS
Address Setup Time
T
AS
0
-
-
nS
Address Hold Time
T
AH
50
-
-
nS
WE and CE Setup Time
T
CS
0
-
-
nS
WE and CE Hold Time
T
CH
0
-
-
nS
OE High Setup Time
T
OES
10
-
-
nS
OE High Hold Time
T
OEH
10
-
-
nS
CE Pulse Width
T
CP
70
-
-
nS
WE Pulse Width
T
WP
70
-
-
nS
WE High Width
Data Setup Time
Data Hold Time
T
WPH
150
-
-
nS
T
DS
T
DH
50
10
-
-
-
-
nS
nS
Byte Load Cycle Time
T
BLC
0.22
-
200
μ
S
μ
S
Byte Load Cycle Time-out
T
BLCO
300
-
-
Note: All AC timing signals observe the following guidelines for determining setup and hold times:
(a) High level signal's reference level is V
IH
and (b) low level signal's reference level is V
IL
.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29EE011T90B | 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE012 | 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512Q-70 | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512Q-70B | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512Q-90 | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W29EE011P90N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|128KX8|CMOS|LDCC|32PIN|PLASTIC |
| W29EE011P90Z | 功能描述:IC FLASH 1MBIT 90NS 32PLCC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W29EE011P-90Z | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:Flash Parallel 5V 1Mbit 128K x 8bit 90ns 32-Pin PLCC 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:128KX8 FLASH 90NS PLCC32 |
| W29EE011Q-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|128KX8|CMOS|TSSOP|32PIN|PLASTIC |
| W29EE011Q15B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|128KX8|CMOS|TSSOP|32PIN|PLASTIC |
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