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參數資料
| 型號： | W29EE011P90B |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數： | 9/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 183K |
| 代理商： | W29EE011P90B |
W29EE011
Publication Release Date: July 1999
- 9 -
Revision A12
DC CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
RATING
-0.5 to +7.0
0 to +70
-65 to +150
-0.5 to V
DD
+1.0
UNIT
V
°
C
°
C
V
Power Supply Voltage to V
ss
Potential
Operating Temperature
Storage Temperature
D.C. Voltage on Any Pin to Ground Potential except
OE
Transient Voltage (< 20 nS ) on Any Pin to Ground Potential
-1.0 to V
DD
+1.0
-0.5 to 12.5
V
V
Voltage on OE Pin to Ground Potential
Note: Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may adversely affect the life and reliability
of the device.
Operating Characteristics
(V
DD
= 5.0V
±
10
%
, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
PARAMETER
Power Supply Current
SYM.
I
CC
TEST CONDITIONS
LIMITS
TYP.
-
UNIT
mA
MIN.
-
MAX.
50
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
,
all I/Os open
Address inputs = V
IL
/V
IH
,
at f = 5 MHz
Standby V
DD
Current (TTL input)
I
SB
1
CE
= V
IH
, all I/Os open
Other inputs = V
IL
/V
IH
I
SB
2 CE = V
DD
-0.3V, all I/Os open
Other inputs = V
DD
-0.3V/GND
I
LI
V
IN
= GND to V
DD
I
LO
V
IN
= GND to V
DD
-
2
3
mA
Standby V
DD
Current
(CMOS input)
-
20
100
μ
A
Input Leakage Current
Output Leakage
Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
-
-
-
-
1
10
μ
A
μ
A
V
IL
V
IH
-
-
-0.3
2.0
-
-
0.8
V
DD
+0.5
0.45
-
V
V
Output Low Voltage
Output High Voltage
V
OL
I
OL
= 2.1 mA
V
OH
I
OH
= -0.4 mA
-
-
-
V
V
2.4
Power-up Timing
PARAMETER
SYMBOL
T
PU
.READ
T
PU
.WRITE
TYPICAL
100
5
UNIT
μ
S
mS
Power-up to Read Operation
Power-up to Write Operation
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29EE011T90B | 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE012 | 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512Q-70 | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512Q-70B | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512Q-90 | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W29EE011P90N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|128KX8|CMOS|LDCC|32PIN|PLASTIC |
| W29EE011P90Z | 功能描述:IC FLASH 1MBIT 90NS 32PLCC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W29EE011P-90Z | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:Flash Parallel 5V 1Mbit 128K x 8bit 90ns 32-Pin PLCC 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:128KX8 FLASH 90NS PLCC32 |
| W29EE011Q-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|128KX8|CMOS|TSSOP|32PIN|PLASTIC |
| W29EE011Q15B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|128KX8|CMOS|TSSOP|32PIN|PLASTIC |
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