- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄363880 > W29F201 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 128K×16bit CMOS Flash Memory(128K×16位CMOS閃速存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W29F201 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 128K×16bit CMOS Flash Memory(128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | × 16位的CMOS 128K的閃存（128K的× 16位的CMOS閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 14/23頁 |
| 文件大小： | 266K |
| 代理商： | W29F201 |
Preliminary W29F201
- 14 -
AC Characteristics, continued
Read Cycle Timing Parameters
(V
CC
= 5.0V
±
10
%
, V
CC
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
PARAMETER
SYM.
W29EE201-55
W29EE201-70
UNIT
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Read Cycle Time
T
RC
55
-
70
-
nS
Chip Enable Access Time
T
CE
-
55
-
70
nS
Address Access Time
T
AA
-
55
-
70
nS
Output Enable Access Time
T
OE
-
30
-
35
nS
CE
Low to Active Output
T
CLZ
0
-
0
-
nS
OE
Low to Active Output
T
OLZ
0
-
0
-
nS
CE
High to High-Z Output
T
CHZ
-
25
-
25
nS
OE
High to High-Z Output
T
OHZ
-
25
-
25
nS
Output Hold from Address Change
T
OH
0
-
0
-
nS
Note: The parameter of T
CLZ
, T
OLZ
, T
CHZ
, T
OHZ
are characterized only and is not 100% tested.
Write Cycle Timing Parameters
PARAMETER
SYMBOL
T
AS
T
AH
T
CS
MIN.
0
50
0
TYP.
-
-
-
MAX.
-
-
-
UNIT
nS
nS
nS
Address Setup Time
Address Hold Time
WE
and
CE
Setup Time
WE
and
CE
Hold Time
T
CH
0
-
-
nS
OE
High Setup Time
T
OES
0
-
-
nS
OE
High Hold Time
T
OEH
0
-
-
nS
CE
Pulse Width
T
CP
70
-
-
nS
WE
Pulse Width
T
WP
70
-
-
nS
WE
High Width
Data Setup Time
Data Hold Time
Word programming Time
T
WPH
100
-
-
nS
T
DS
T
DH
T
BC
50
10
-
-
-
-
-
nS
nS
10
50
μ
S
S
Erase Cycle Time
T
EC
-
0.1
0.2
Note: All AC timing signals observe the following guidelines for determining setup and hold times:
(a) High level signal's reference level is V
IH
and (b) low level signal's reference level is V
IL
.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29N102C | 64K×16bit CMOS 3.3V Flash Memory(64K×16位以3.3V電源供電的CMOS閃速存儲器) |
| W29S201 | 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| W3011 | 1 GHz Quadrature Modulator |
| W3013 | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3013BCL | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W29GL032C | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32M-BIT 3.0-VOLT PARALLEL FLASH MEMORY WITH PAGE MODE |
| W29GL032CB7A | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| W29GL032CB7ATR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:PF, 32M-BIT, 4KB UNIFORM SECTO |
| W29GL032CB7B | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 64LFBGA |
| W29GL032CB7S | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。