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參數資料
| 型號： | W29N102C |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 64K×16bit CMOS 3.3V Flash Memory(64K×16位以3.3V電源供電的CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | 64K的× 16位的CMOS 3.3V的快閃記憶體（64K的× 16位以3.3V的電源供電的閃速存儲器的CMOS） |
| 文件頁數： | 11/21頁 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | W29N102C |
Preliminary W29N102C
Publication Release Date: February 1999
- 11 -
Revision A1
DC CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
RATING
UNIT
Power Supply Voltage to V
ss
Potential
-0.5 to +4.6
V
Operating Temperature
0 to +70
°
C
°
C
V
Storage Temperature
-65 to +150
D.C. Voltage on Any Pin to Ground Potential except A9
-0.5 to V
DD
+1.0
Transient Voltage (<20 nS ) on Any Pin to Ground Potential
-1.0 to V
DD
+1.0
V
Voltage on A9 Pin to Ground Potential
-0.5 to 12.5
V
Note: Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may adversely affect the life and reliability of the
device.
DC Operating Characteristics
(V
DD
= 3.3V
±
0.3V, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
LIMITS
UNIT
MIN. TYP.
MAX.
Power Supply
Current
I
CC
CE=OE= V
IL
, WE= V
IH
, all I/Os open
Address inputs = V
IL
/V
IH
, at f = 5 MHz
-
15
25
mA
Standby V
DD
Current (TTL input)
I
SB
1
CE = V
IH
, all I/Os open
Other inputs = V
IL
/V
IH
-
-
1
mA
Standby V
DD
Current
(CMOS input)
I
SB
2
CE = V
DD
-0.3V, all I/Os open
Other inputs = V
DD
-0.3V/GND
-
10
50
μ
A
Input Leakage
Current
I
LI
V
IN
= GND to V
DD
-
-
10
μ
A
Output Leakage
Current
I
LO
V
OUT
= GND to V
DD
-
-
10
μ
A
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.3
-
0.6
V
Input High Voltage
V
IH
-
2.0
-
V
DD
+0.5
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 1.6 mA
-
-
0.45
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -0.1 mA
2.4
-
-
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29S201 | 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| W3011 | 1 GHz Quadrature Modulator |
| W3013 | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3013BCL | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3020 | GSM Multiband RF Transceiver |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W29NK50ZD | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500 V - 0.11? - 29A TO-247 Fast Diode SuperMESH? MOSFET |
| W2A-1819 | 制造商:Nexans 功能描述:MULTI CONDUCTORS |
| W2A21A101J4T2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A101KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 20% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A220KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 22pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
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