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參數(shù)資料
型號: W29N102C
廠商: WINBOND ELECTRONICS CORP
英文描述: 64K×16bit CMOS 3.3V Flash Memory(64K×16位以3.3V電源供電的CMOS閃速存儲器)
中文描述: 64K的× 16位的CMOS 3.3V的快閃記憶體(64K的× 16位以3.3V的電源供電的閃速存儲器的CMOS)
文件頁數(shù): 12/21頁
文件大小: 253K
代理商: W29N102C
Preliminary W29N102C
- 12 -
Power-up Timing
PARAMETER
SYMBOL
T
PU
. READ
T
PU
. WRITE
TYPICAL
200
10
UNIT
μ
S
mS
Power-up to Read Operation
Power-up to Write Operation
CAPACITANCE
(V
DD
= 3.3V, T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
PARAMETER
I/O Pin Capacitance
Input Capacitance
SYMBOL
C
I/O
C
IN
CONDITIONS
V
I/O
= 0V
V
IN
= 0V
MAX.
12
6
UNIT
pf
pf
AC CHARACTERISTICS
AC Test Conditions
PARAMETER
CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Time
Input/Output Timing Level
Output Load
0.4V/2.4V
< 5 nS
1.5V/1.5V
1 TTL Gate and C
L
= 30 pF for 55/70 nS
C
L
= 100 pF for 90 nS
AC Test Load and Waveform
+3.3V
1.8K
1.3K
D
OUT
30 pF for 55/70 nS
100 pF for 90 nS
(Including Jig and Scope)
Input
2.4V
0.4V
Test Point
Test Point
1.5V
1.5V
Output
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W29S201 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器)
W3011 1 GHz Quadrature Modulator
W3013 W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control
W3013BCL W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control
W3020 GSM Multiband RF Transceiver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W29NK50ZD 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500 V - 0.11? - 29A TO-247 Fast Diode SuperMESH? MOSFET
W2A-1819 制造商:Nexans 功能描述:MULTI CONDUCTORS
W2A21A101J4T2A 功能描述:電容器陣列與網(wǎng)絡(luò) 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數(shù)量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG
W2A21A101KAT2A 功能描述:電容器陣列與網(wǎng)絡(luò) 100v 100pF 20% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數(shù)量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG
W2A21A220KAT2A 功能描述:電容器陣列與網(wǎng)絡(luò) 100v 22pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數(shù)量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG