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參數資料
| 型號： | W80NF06 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 60V - 0.0065OHM - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 STripFET II POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道60V的- 0.0065OHM - 80A條TO-220/D2PAK/TO-247 STripFET二功率MOSFET |
| 文件頁數： | 5/14頁 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | W80NF06 |
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
Electrical characteristics
5/14
Table 6.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ.
Max
Unit
I
SD
Source-drain current
80
A
I
SDM (1)
V
SD (2)
1.
Pulse width limited by safe operating area.
Source-drain current (pulsed)
320
A
2.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %
Forward on voltage
I
SD
= 80A, V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 80A, V
DD
= 50V
di/dt = 100A/μs,
T
j
= 150°C
(see Figure 15)
80
250
6.4
ns
nC
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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