- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄363908 > W942508CH (WINBOND ELECTRONICS CORP) 8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM PDF資料下載
參數資料
| 型號： | W942508CH |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 8米× 4銀行× 8位DDR SDRAM |
| 文件頁數： | 4/47頁 |
| 文件大小： | 1317K |
| 代理商： | W942508CH |
第1頁第2頁第3頁當前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁
W942508CH
- 4 -
3. KEY PARAMETERS
SYMBOL
DESCRIPTION
MIN./MAX.
-7
-75
CL = 2
Min.
7.5 nS
8 nS
t
CK
Clock Cycle Time
CL = 2.5
Min.
7 nS
7.5 nS
t
RAS
Active to Precharge Command Period
Min.
45 nS
45 nS
t
RC
Active to Ref/Active Command Period
Min.
65 nS
65 nS
I
DD1
OPERATION CURRENT (SINGLE BANK)
Max.
120 mA
120 mA
I
DD4
Burst Operation Current
Max.
165 mA
155 mA
I
DD6
SELF-REFRESH CURRENT
Max.
3 mA
3 mA
SYMBOL
DESCRIPTION
MIN./MAX.
-5
-6
CL = 2.5
Min.
5 nS
6 nS
t
CK
Clock Cycle Time
CL = 3
Min.
5 nS
6 nS
t
RAS
Active to Precharge Command Period
Min.
40 nS
42 nS
t
RC
Active to Ref/Active Command Period
Min.
55 nS
60 nS
I
DD1
OPERATION CURRENT (SINGLE BANK)
Max.
120 mA
120 mA
I
DD4
Burst Operation Current
Max.
165 mA
165 mA
I
DD6
SELF-REFRESH CURRENT
Max.
3 mA
3 mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W942508CH-5 | 8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM |
| W942508CH-6 | 8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM |
| W942508CH-7 | 8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM |
| W942508CH-75 | 8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM |
| W942516CH | 4M X 4 BANKS X 16 BIT DDR SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W942508CH-5 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM |
| W942508CH-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM |
| W942508CH-7 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM |
| W942508CH-75 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM |
| W942516AH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M x 4 BANKS x 16 BIT DDR SDRAM |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。