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參數(shù)資料
| 型號： | W986416BH |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 1M words x 16 bit x 4 Banks SDRAM(1M字 x 16 位 x 4 組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1M字× 16位× 4個銀行的SDRAM（100萬字× 16位× 4個組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 33/42頁 |
| 文件大小： | 2061K |
| 代理商： | W986416BH |
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W986416BH
1M x 16 bit x 4 Banks SDRAM
Revision 1.4 Publication Release Date: July, 1999
- 33 -
Autoprecharge Timing ( Read Cycle )
Read
AP
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
Q0
Q0
Read
AP
Act
Q1
Read
AP
Act
Q1
Q2
AP
Q6
Act
Read
Act
Q0
Q3
(1) CAS Latency=2
Read
Act
AP
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate command to
the start of internal precgarging must be at least t
RAS
(min).
represents the Read with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
Note )
t
RP
t
RP
t
RP
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
DQ
DQ
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q7
t
Q0
Read
AP
Act
Q0
Read
AP
Act
Q1
Q0
Read
AP
Act
Q1
Q2
Q3
Read
AP
Act
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
(2) CAS Latency=3
t
RP
t
RP
t
RP
t
RP
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
DQ
DQ
DQ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W986416DH | 1M X 4 BANKS X 16 BITS SDRAM |
| W986416CH | 1M x 16 BIT x 4 BANKS SDRAM |
| W986416CH-6 | x16 SDRAM |
| W986416CH-7 | x16 SDRAM |
| W986416CH-75 | x16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W986416CH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M x 16 BIT x 4 BANKS SDRAM |
| W986416CH-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
| W986416CH-7 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SDRAM, 4M x 16, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| W986416CH-75 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
| W986416CH-8H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
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