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參數資料
型號: 2STL1525
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 5000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: ROHS COMPLIANT, TO-92L, 3 PIN
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 130K
代理商: 2STL1525
Preliminary data
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to
change without notice.
July 2009
Doc ID 16054 Rev 1
1/6
6
2STL1525
Low voltage high performance NPN power transistor
Features
Very low collector-emitter saturation voltage
High current gain characteristic
Fast switching speed
Applications
Emergency lighting
LED
Motherboard and hard disk drive
Mobile equipment
Battery charger
Voltage regulation
Description
The device is a NPN transistor manufactured
using new “PB-HCD” (power bipolar high current
density) technology. The resulting transistor
shows exceptional high gain performances
coupled with very low saturation voltage.
Figure 1.
Internal schematic diagram
TO-92L
Table 1.
Device summary
Order codes
Marking
Package
Packaging
2STL1525
TO-92L
Bulk
2STL1525-AP
2STL1525
TO-92L-AP
Ammopack
相關PDF資料
PDF描述
2STW1695 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
2STW200 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
2STW100 25 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
2STW4468 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AA
40-01-B4C-AJMB Dome POWER LED
相關代理商/技術參數
參數描述
2STL1525-AP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V Vceo 5A NPN High Gain Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STL2580 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Volt NPN Trans 800V Vces 400V Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STN1360 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STN1550 功能描述:兩極晶體管 - BJT IGBT & Power Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STN2340 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2