- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄30626 > 2STL1525 (STMICROELECTRONICS) 5000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2STL1525 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-92L, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 130K |
| 代理商： | 2STL1525 |
2STL1525
Electrical characteristics
Doc ID 16054 Rev 1
3/6
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25 °C unless otherwise specified)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = 50 V
0.1
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 4 V
0.1
A
V(BR)CEX
Collector-emitter
breakdown voltage
(VBE = -1.5 V)
IC = 1 mA
95
V
V(BR)CEO
(1)
1.
Pulse test: pulse duration
≤ 300 s, duty cycle ≤ 2%
Collector-emitter
breakdown voltage
(IB = 0)
IC = 10 mA
25
V
V(BR)EBO
Emitter-base breakdown
voltage (IC = 0)
IE = 100 A
5
V
hFE
(1)
DC current gain
IC = 0.5 A
VCE = 2 V
IC = 3 A
VCE = 2 V
IC = 5 A
VCE = 5 V
100
300
150
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = 3 A
IB = 300 mA
IC = 3.5 A
IB = 40 mA
220
500
mV
VBE(sat)
(1)
Base-emitter saturation
voltage
IC = 3 A
IB = 300 mA
1.2
V
CCBO
Collector-base
capacitance (IE = 0)
VCB = 10 V, f = 1 MHz
20
pF
fT
Transition frequency
VCE = 10 V IC = 50 mA
120
MHz
ton
toff
Resistive load
Turn-on time
Turn-off time
IC = 1.5 A
VCC = 10 V
IB1 = -IB2 = 150 mA
90
700
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STW1695 | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2STW200 | 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2STW100 | 25 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2STW4468 | 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AA |
| 40-01-B4C-AJMB | Dome POWER LED |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2STL1525-AP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V Vceo 5A NPN High Gain Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STL2580 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Volt NPN Trans 800V Vces 400V Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN1360 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN1550 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT IGBT & Power Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2340 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。