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參數資料
| 型號： | 2STL1525 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-92L, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | 2STL1525 |
Electrical ratings
2STL1525
2/6
Doc ID 16054 Rev 1
1
Electrical ratings
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCEX
Collector-emitter voltage (VBE = -1.5 V)
95
V
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
25
V
VEBO
Emitter-base voltage (IC = 0)
5
V
IC
Collector current
5
A
ICM
Collector peak current (tP < 5 ms)
10
A
IB
Base current
1
A
PTOT
Total dissipation at Tamb = 25 °C
1
W
Tstg
Storage temperature
-65 to 150
°C
TJ
Max. operating junction temperature
150
°C
Table 3.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
RthJA
Thermal resistance junction-ambient __max
125
°C/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STW1695 | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2STW200 | 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2STW100 | 25 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2STW4468 | 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AA |
| 40-01-B4C-AJMB | Dome POWER LED |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2STL1525-AP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V Vceo 5A NPN High Gain Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STL2580 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Volt NPN Trans 800V Vces 400V Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN1360 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN1550 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT IGBT & Power Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2340 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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