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參數資料
| 型號： | 2STW200 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 111K |
| 代理商： | 2STW200 |
Absolute maximun ratings
2STW100, 2STW200
2/7
Doc ID 17235 Rev 1
1
Absolute maximun ratings
Note:
For PNP type voltage and current values are negative
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
NPN
2STW100
PNP
2STW200
VCBO
Collector-emitter voltage (IE = 0)
80
V
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
80
V
IC
Collector current
25
A
ICM
Collector peak current (tP < 5 ms)
40
A
IB
Base current
6
A
IBM
Base peak current (tP < 5 ms)
10
A
PTOT
Total dissipation at Tc ≤ 25 °C
130
W
TSTG
Storage temperature
-65 to 150
°C
TJ
Max. operating junction temperature
150
°C
Table 3.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
RthJC
Thermal resistance junction-case max
0.96
°C/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STW100 | 25 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2STW4468 | 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AA |
| 40-01-B4C-AJMB | Dome POWER LED |
| 40-05-015 | Package Outline: 48 lead 300 mil SSOP |
| 4000 | Toroidal Surface Mount Inductors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2STW4466 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STW4466_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
| 2STW4468 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High PWR NPN Trans 140V VCEO 20 MHz RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STW4468_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
| 2STX1360 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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