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參數(shù)資料
| 型號： | 2STW200 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | 2STW200 |
2STW100, 2STW200
Electrical characteristics
Doc ID 17235 Rev 1
3/7
2
Electrical characteristics
Tcase = 25 °C; unless otherwise specified.
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCE = 80 V
0.5
mA
ICEV
Collector cut-off current
(VBE = - 0.3 V)
VCE = 80 V
0.1
mA
ICEO
Collector cut-off current
(IB = 0)
VCE = 60 V
0.5
mA
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 5 V
2
mA
VCEO(sus)
(1)
1.
Pulse test: pulse duration
≤ 300 s, duty cycle ≤ 2 %.
For PNP type voltage and current values are negative.
Collector-emitter
sustaining voltage (IB = 0)
IC = 50 mA
80
V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = 5 A
IB = 20 mA
IC = 10 A
IB = 40 mA
IC = 20 A IB = 80 mA
1.2
1.75
3.5
V
VBE(sat)
(1)
Base-emitter saturation
voltage
IC = 20 A IB = 80 mA
3.3
V
VBE
(1)
Base-emitter voltage
IC = 10 A VCE = 3 V
1
3
V
hFE
(1)
DC current gain
IC = 5 A
VCE = 3 V
IC = 10 A
VCE = 3 V
IC = 20 A VCE = 3 V
600
500
300
15000
12000
6000
VF
(1)
Diode forward voltage
IF = 10 A
TBD
V
Is/b
Second breakdown
current
VCE = 25 V t = 500 ms
TBD
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STW100 | 25 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2STW4468 | 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AA |
| 40-01-B4C-AJMB | Dome POWER LED |
| 40-05-015 | Package Outline: 48 lead 300 mil SSOP |
| 4000 | Toroidal Surface Mount Inductors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2STW4466 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STW4466_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
| 2STW4468 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High PWR NPN Trans 140V VCEO 20 MHz RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STW4468_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
| 2STX1360 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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