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參數資料
型號: 2STW200
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
封裝: ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數: 6/7頁
文件大小: 111K
代理商: 2STW200
Revision history
2STW100, 2STW200
6/7
Doc ID 17235 Rev 1
4
Revision history
Table 5.
Document revision history
Date
Revision
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08-Mar-2010
1
First release.
相關PDF資料
PDF描述
2STW100 25 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
2STW4468 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AA
40-01-B4C-AJMB Dome POWER LED
40-05-015 Package Outline: 48 lead 300 mil SSOP
4000 Toroidal Surface Mount Inductors
相關代理商/技術參數
參數描述
2STW4466 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STW4466_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
2STW4468 功能描述:兩極晶體管 - BJT High PWR NPN Trans 140V VCEO 20 MHz RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STW4468_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
2STX1360 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2