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CSD18511KTT

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  • CSD18511KTT
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    CSD18511KTT

  • 深圳市三磚科技有限公司
    深圳市三磚科技有限公司

    聯系人：黃先生

    電話：18823887255

    地址：賽格科技園4棟西10樓C座

    資質：營業執照

  • 6500

  • TI只做原裝

  • TO263

  • 25+

  • -

  • 全新原裝正品現貨，全網好價

  • CSD18511KTTT
    CSD18511KTTT

    CSD18511KTTT

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人：張經理

    電話：18653422656

    地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質：營業執照

  • 0

  • TI

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  • 24+

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  • 集成電路（IC）

  • CSD18511KTT
    CSD18511KTT

    CSD18511KTT

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人：張經理

    電話：18653422656

    地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）

    資質：營業執照

  • 321207

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • CSD18511KTT
    CSD18511KTT

    CSD18511KTT

  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人：張經理

    電話：18653422656

    地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質：營業執照

  • 321207

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • CSD18511KTT
    CSD18511KTT

    CSD18511KTT

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 321207

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  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • CSD18511KTT
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質：營業執照

  • 321207

  • TI

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  • 24+

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  • 優勢庫存，原裝正品

  • CSD18511KTT
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  • 深圳市深科創科技有限公司
    深圳市深科創科技有限公司

    聯系人：吳先生/吳小姐/朱先生

    電話：0755-832472900755-828652018324751083223957

    地址：深圳市福田區航都大廈17F1可提供13%增值稅發票

  • 7500

  • TI/德州儀器

  • TO-263

  • 2020+

  • -

  • 全新原裝現貨 渠道優勢庫存 假一罰十

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CSD18511KTT 技術參數
  • CSD18510Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:153nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11400pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:156W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.96 毫歐 @ 32A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-VSON-CLIP（5x6） 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD18510KTTT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:274A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:132nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11400pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA 標準包裝:1 CSD18510KCS 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:75nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11400pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 CSD18509Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 毫歐 @ 32A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13900pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6） 標準包裝:1 CSD18509Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 毫歐 @ 32A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13900pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6） 標準包裝:1 CSD18531Q5A CSD18531Q5AT CSD18532KCS CSD18532NQ5B CSD18532NQ5BT CSD18532Q5B CSD18532Q5BT CSD18533KCS CSD18533Q5A CSD18533Q5AT CSD18534KCS CSD18534Q5A CSD18534Q5AT CSD18535KCS CSD18535KTT CSD18535KTTT CSD18536KCS CSD18536KTT
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