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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W29C022 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 256K x 8 CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256K × 8的CMOS閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/20頁(yè) |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | W29C022 |
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W29C022
- 12 -
AC Characteristics, continued
Read Cycle Timing Parameters
(V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
W29C022
UNIT
MIN.
MAX.
Read Cycle Time
T
RC
120
-
nS
Chip Enable Access Time
T
CE
-
120
nS
Address Access Time
T
AA
-
120
nS
Output Enable Access Time
T
OE
-
50
nS
#CE High to High-Z Output
T
CHZ
-
30
nS
#OE High to High-Z Output
T
OHZ
-
30
nS
Output Hold from Address Change
T
OH
0
-
nS
Byte/Page-write Cycle Timing Parameters
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Write Cycle (Erase and Program)
T
WC
-
-
10
mS
Address Setup Time
T
AS
0
-
-
nS
Address Hold Time
T
AH
50
-
-
nS
#WE and #CE Setup Time
T
CS
0
-
-
nS
#WE and #CE Hold Time
T
CH
0
-
-
nS
#OE High Setup Time
T
OES
0
-
-
nS
#OE High Hold Time
T
OEH
0
-
-
nS
#CE Pulse Width
T
CP
70
-
-
nS
#WE Pulse Width
T
WP
70
-
-
nS
#WE High Width
T
WPH
100
-
-
nS
Data Setup Time
T
DS
50
-
-
nS
Data Hold Time
T
DH
0
-
-
nS
Byte Load Cycle Time
T
BLC
-
-
150
μ
S
Note: All AC timing signals observe the following guideline for determining setup and hold times:
Reference level is V
IH
for high-level signal and V
IL
for low-level signal.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29C040T-90 | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C040P-90 | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C040 | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C040P-12 | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C040P-12B | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W29C040 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C040-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|512KX8|CMOS|DIP|32PIN|PLASTIC |
| W29C040-12N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| W29C040-90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|512KX8|CMOS|DIP|32PIN|PLASTIC |
| W29C040-90B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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