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參數(shù)資料
| 型號： | W963L6ABN80E |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | GT 3C 3#4 PIN PLUG |
| 中文描述： | 512K X 16 PSEUDO STATIC RAM, 75 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 27/30頁 |
| 文件大小： | 1028K |
| 代理商： | W963L6ABN80E |
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W963L6ABN
Data Retention
Low V
DD
Characteristics
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DD
Data Retention Supply
Voltage
V
DR
CE1
= CE2
≥
V
DD
-0.2V or,
CE1
= CE2 = V
IH
2.1
3.6
V
-
5
L
version
I
DR
V
DD
= V
DD (23)
,
V
IN
= V
DD
-0.2V to V
IH
(23)
or V
IL
CE1
= CE2 = V
IH (23),
I
OUT
= 0 mA
-
1.5
mA
-
200
V
DD
Data Retention
Supply Current
L
version
I
DR1
V
DD
= V
DD(23)
,
V
IN
≤
0.2V or V
IN
≥
V
DD
-0.2V,
CE1
= CE2
≥
V
DD
-0.2V, I
OUT
= 0 mA
-
100
μ
A
Data Retention Setup Time
t
DRS
V
DD
= V
DD
(27)
at data retention entry
0
-
nS
Data Retention Recovery
Time
t
DRR
V
DD
= V
DD
(27)
after data retention
200
-
nS
V
DD
Voltage Transition Time
Δ
V/
Δ
t
0.2
-
V/
μ
S
Data Retention Timing
3.1V
t
DRS
Data Retention Mode
2.7V
2.1V
0.4V
V
SS
t
V/
≥
V
DD
-0.2V or V
IH(23)
min
t
DRR
t
V/
Data bus must be in High-Z at data retention entry.
V
DD
CE2
CE1
Publication Release Date: March 11, 2003
- 27 -
Revision A1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W963L6ABN80I | GT 3C 3#4 PIN PLUG |
| W971632AF | 256K x 32 bit x 2 Banks SGRAM(256K x 32位 x 2組同步圖形RAM) |
| W981208AH | 4M x 8 bit x 4 Banks SDRAM |
| W981208BH | 4M x 4 BANKS x 8 BIT SDRAM |
| W981208AH-75 | x8 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W963L6ABN80I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W964B6BBN | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M WORD X 16BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W964B6BBN70 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M WORD X 16BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W964B6BBN70E | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M WORD X 16BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W964B6BBN70O | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M WORD X 16BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
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