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參數資料
| 型號： | W9816G6BB-7 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 2 BANKS x 16 BITS SDRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 0.65 MM PITCH, BGA-60 |
| 文件頁數： | 14/43頁 |
| 文件大小： | 1164K |
| 代理商： | W9816G6BB-7 |
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W9816G6BB
- 14 -
11. DC CHARACTERISTICS
(V
DD
= 2.7
3.6V, T
A
= 0
°
70
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
-7
MAX.
UNIT
NOTES
Operating Current
t
CK
= min., t
RC
= min.
Active precharge command cycling
without burst operation
1 bank operation
I
CC1
50
3
CKE = V
IH
I
CC2
25
3
Standby Current
t
CK
= min.,
CS
= V
IH
V
IH
/L = V
IH
(min.) /V
IL
(max.)
Bank: inactive state
CKE = V
IL
(Power down mode)
I
CC2P
1
3
CKE = V
IH
I
CC2S
8
Standby Current
CLK = V
IL
,
CS
= V
IH
V
IH
/L = V
IH
(min.) /V
IL
(max.)
Bank: inactive state
CKE = V
IL
(Power down mode)
I
CC2PS
1
mA
CKE = V
IH
I
CC3
35
No Operating Current
t
CK
= min.,
CS
= V
IH
(min.)
Bank: active state (2 banks)
CKE = V
IL
(Power Down mode)
I
CC3P
3
Burst Operating Current (t
CK
= min.)
Read/ Write command cycling
I
CC4
100
3, 4
Auto Refresh Current (t
CK
= min.)
Auto refresh command cycling
I
CC5
50
3
Standard
I
CC6
1.5
Self Refresh Current
(CKE = 0.2V)
Self refresh mode
Low Power
I
CC6L
200
μ
A
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
NOTES
Input Leakage Current
(0V
≤
V
IN
≤
V
DD
, all other pins not under test = 0V)
I
I(L)
-5
5
μ
A
Output Leakage Current
(Output disable , 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
)
LVTTL OutputT
″
H
″
Level Voltage
I
O(L)
-5
5
μ
A
(I
OUT
= -2 mA)
LVTTL Output
″
L
″
Level Voltage
V
OH
2.4
-
V
(I
OUT
= 2 mA)
V
OL
-
0.4
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W982516BH | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| W982516BH-7 | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| W982516BH-75 | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| W982516BH75I | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| W982516BH75L | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| W9816G6CB-7 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K 】 2 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
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| W9816G6CH-5 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K 】 2 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
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