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參數(shù)資料
| 型號： | W9816G6BB-7 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 2 BANKS x 16 BITS SDRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 0.65 MM PITCH, BGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 15/43頁 |
| 文件大小： | 1164K |
| 代理商： | W9816G6BB-7 |
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W9816G6BB
Publication Release Date: January 2, 2003
- 15 -
Revision A1
12. AC CHARACTERISTICS
(V
DD
= 3.3V
±
0.3V, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C, Notes: 5, 6, 7, 8)
-7
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
Ref/Active to Ref/Active Command Period
t
RC
65
nS
Active to Precharge Command Period
t
RAS
45
100000
Active to Read/Write Command Delay Time
t
RCD
20
Read/Write(a) to Read/Write(b)Command Period
t
CCD
1
Cycle
Precharge to Active(b) Command Period
t
RP
20
nS
Active(a) to Active(b) Command Period
t
RPD
14
CL* = 2
10
Write Recovery Time
CL* = 3
t
WR
7
CL* = 2
10
1000
CLK Cycle Time
CL* = 3
t
CK
7
1000
CLK High Level Width
t
CH
2
CLK Low Level Width
t
CL
2
CL* = 2
5.5
Access Time from CLK
CL* = 3
t
AC
5
Output Data Hold Time
t
OH
2.5
Output Data High Impedance Time
t
HZ
2.5
7
Output Data Low Impedance Time
t
LZ
0
Power Down Mode Entry Time
t
SB
0
7
Transition Time of CLK (Rise and Fall)
t
T
0.5
10
Data-in-Set-up Time
t
DS
1.5
Data-in Hold Time
t
DH
1
Address Set-up Time
t
AS
1.5
Address Hold Time
t
AH
1
CKE Set-up Time
t
CKS
1.5
CKE Hold Time
t
CKH
1
Command Set-up Time
t
CMS
1.5
Command Hold Time
t
CMH
1
Refresh Time
t
REF
64
mS
Mode Register Set Cycle Time
t
RSC
14
nS
(L):For low power
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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