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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W9816G6BB-7 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 2 BANKS x 16 BITS SDRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 0.65 MM PITCH, BGA-60 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/43頁(yè) |
| 文件大小： | 1164K |
| 代理商： | W9816G6BB-7 |
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W9816G6BB
- 16 -
Notes:
1.
2.
3.
Operation exceeds "ABSOLUTE MAXIMUM RATING" may cause permanent damage to the devices.
All voltages are referenced to V
SS.
These parameters depend on the cycle rate and listed values are measured at a cycle rate with the minimum values
of tCK and tRC.
These parameters depend on the output loading conditions. Specified values are obtained with output open.
Power up sequence is further described in the "Functional Description" section.
AC test conditions.
4.
5.
6.
PARAMETER
CONDITIONS
Output Reference Level
1.4V/1.4V
Output Load
See diagram below
Input Signal Levels
2.4V/0.4V
Transition Time (Rise and Fall) of Input Signal
2 nS
Input Reference Level
1.4V
50 ohms
1.4 V
Z = 50 ohms
output
AC TEST LOAD
30pF
7.
Transition times are measured between V
IH
and V
IL
.
8.
tHZ defines the time at which the outputs achieve the open circuit condition and is not referenced to output level.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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