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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W986416CH-7 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | x16 SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 38/48頁(yè) |
| 文件大小： | 1647K |
| 代理商： | W986416CH-7 |
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W986416DH
- 38 -
Operating Timing Example, continued
Auto-precharge Timing (Write Cycle)
D0
Write
Act
AP
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
D0
D0
D0
D0
AP
Act
D1
AP
Act
D1
D1
D2
D2
D3
D3
D4
D5
D6
D7
AP
Act
AP
Act
AP
Act
D1
D0
AP
Act
D1
D2
D3
AP
Act
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
Write
Write
Write
Write
Write
Write
Write
D0
(1) CAS
Latency=2
( a ) burst length = 1
(2) CAS
Latency=3
Write
Act
AP
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate
command to the start of internal precgarging must be at least tRAS (min.)
represents the Write with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
Note:
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
DQ
DQ
DQ
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
DQ
DQ
DQ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W986416CH-75 | x16 SDRAM |
| W986416CH-8H | x16 SDRAM |
| W986432DH | 512K ⅴ 4 BANKS ⅴ 32 BITS SDRAM |
| W986432AH | 512K x 4 BANKS x 32 BITS SDRAM |
| W986432AH-55 | x32 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W986416CH-75 | 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
| W986416CH-8H | 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
| W986416DH | 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:1M X 4 BANKS X 16 BITS SDRAM |
| W986416DH-5 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, 54 Pin Plastic SMT |
| W986416DH-55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:SDRAM|4X1MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
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