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參數資料
| 型號： | APT15GF120JCU2 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | APT15GF120JCU2 |
APT15GF120JCU2
APT
15GF120JCU2
–
Rev
0
Septem
ber
,2009
www.microsemi.com
4- 6
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
5
10
15
20
25
30
01
2
3
45
6
Ic,
C
o
ll
e
c
tor
C
u
rrent
(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
2
4
6
8
10
12
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Ic,
C
o
ll
ec
tor
C
u
rrent
(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
5
10
15
20
25
30
0
2.5
5
7.5
10
12.5
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
ll
e
c
to
r
C
u
rre
n
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=240V
VCE=600V
VCE=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
20
40
60
80
100
120
Gate Charge (nC)
V
GE
,
G
a
te
to
E
m
itter
V
o
lt
age
(V
)
IC = 15A
TJ = 25°C
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
Col
lecto
rto
E
m
itter
Breakd
own
V
o
lt
ag
e
(N
orma
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e
d
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
5
10
15
20
25
30
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,DC
Co
ll
ector
Cur
re
nt
(A)
DC Collector Current vs Case Temperature
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT15GN120BDQ1G | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GN120BDQ1 | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GN120BDQ1 | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT17N80SC3 | 17 A, 800 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT17N80SC3 | 17 A, 800 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT15GN120BDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
| APT15GN120BDQ1G | 功能描述:IGBT 1200V 45A 195W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT15GN120K | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
| APT15GN120KG | 功能描述:IGBT 1200V 45A 195W TO220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT15GN120SDQ1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
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