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參數資料
| 型號： | APT15GF120JCU2 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | APT15GF120JCU2 |
APT15GF120JCU2
APT
15GF120JCU2
–
Rev
0
Septem
ber
,2009
www.microsemi.com
5- 6
VGE = 15V
50
55
60
65
70
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ICE, Collector to Emitter Current (A)
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Turn-On Delay Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 33
VGE=15V,
TJ=25°C
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TJ=125°C
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Turn-Off Delay Time vs Collector Current
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Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 33
TJ = 25°C
TJ = 125°C
20
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35
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
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ll
Time
(n
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Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 600V, VGE = 15V, RG = 33
TJ=25°C,
VGE=15V
TJ=125°C,
VGE=15V
0
0.5
1
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2
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35
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
Eon,
T
u
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(
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J
)
VCE = 600V
RG = 33
TJ = 25°C
TJ = 125°C
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ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
o
ff
,
T
u
rn
-o
ff
E
n
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rg
y
L
o
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(m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 33
Eon, 15A
Eoff, 15A
0
0.5
1
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2
2.5
3
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0
2040
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120
Gate Resistance (Ohms)
S
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g
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ses
(m
J)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
VCE = 600V
VGE = 15V
TJ= 125°C
0
5
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0
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ll
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n
t
(A)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT15GN120BDQ1G | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GN120BDQ1 | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GN120BDQ1 | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT17N80SC3 | 17 A, 800 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT17N80SC3 | 17 A, 800 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT15GN120BDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
| APT15GN120BDQ1G | 功能描述:IGBT 1200V 45A 195W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT15GN120K | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
| APT15GN120KG | 功能描述:IGBT 1200V 45A 195W TO220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT15GN120SDQ1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
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