- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄48368 > APT15GF120JCU2 (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT15GF120JCU2 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/6頁(yè) |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | APT15GF120JCU2 |
APT15GF120JCU2
APT
15GF120JCU2
–
Rev
0
Septem
ber
,2009
www.microsemi.com
6- 6
Typical SiC chopper diode Performance Curve
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lIm
p
e
da
nc
e
(
°C
/W)
Forward Characteristics
TJ=25°C
TJ=75°C
TJ=125°C
TJ=175°C
0
4
8
12
16
20
0
0.5
11.5
22.5
33.5
VF Forward Voltage (V)
I F
Forwa
rd
Current
(A)
Reverse Characteristics
TJ=25°C
TJ=75°C
TJ=125°C
TJ=175°C
0
25
50
75
100
400
600
800
1000 1200 1400 1600
VR Reverse Voltage (V)
I R
Revers
e
Cu
rren
t(
A)
Capacitance vs.Reverse Voltage
0
100
200
300
400
500
600
700
1
10
100
1000
VR Reverse Voltage
C
,C
a
pa
cit
a
nce
(
p
F)
ISOTOP is a registered trademark of ST Microelectronics NV
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT15GN120BDQ1G | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GN120BDQ1 | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GN120BDQ1 | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT17N80SC3 | 17 A, 800 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT17N80SC3 | 17 A, 800 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT15GN120BDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
| APT15GN120BDQ1G | 功能描述:IGBT 1200V 45A 195W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT15GN120K | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
| APT15GN120KG | 功能描述:IGBT 1200V 45A 195W TO220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT15GN120SDQ1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。