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參數資料
| 型號： | W9816G6BB |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 512K x 2 BANKS x 16 BITS SDRAM |
| 中文描述： | 為512k × 2組X 16位內存 |
| 文件頁數： | 35/43頁 |
| 文件大小： | 1164K |
| 代理商： | W9816G6BB |
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W9816G6BB
Publication Release Date: January 2, 2003
- 35 -
Revision A1
Timing Waveforms, continued
Auto Precharge Timing
(Read Cycle)
Read
AP
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
Q0
Q0
Read
AP
Act
Q1
Read
AP
Act
Q1
Q2
AP
Act
Read
Act
Q0
Q3
(1) CAS Latency=2
Read
Act
AP
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate command to
the start of internal precgarging must be at least t
RAS
(min).
represents the Read with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
Note:
t
RP
t
RP
t
RP
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
DQ
DQ
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
t
RP
Q0
Read
AP
Act
Q0
Read
AP
Act
Q1
Q0
Read
AP
Act
Q1
Q2
Q3
Read
AP
Act
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
(2) CAS Latency=3
t
RP
t
RP
t
RP
t
RP
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
DQ
DQ
DQ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9816G6BB-7 | 512K x 2 BANKS x 16 BITS SDRAM |
| W982516BH | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| W982516BH-7 | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| W982516BH-75 | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| W982516BH75I | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W9816G6BB-7 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K x 2 BANKS x 16 BITS SDRAM |
| W9816G6CB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K 】 2 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
| W9816G6CB-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K 】 2 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
| W9816G6CB-7 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K 】 2 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
| W9816G6CH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K 】 2 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
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