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參數資料
| 型號： | W9816G6BB |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 512K x 2 BANKS x 16 BITS SDRAM |
| 中文描述： | 為512k × 2組X 16位內存 |
| 文件頁數： | 36/43頁 |
| 文件大小： | 1164K |
| 代理商： | W9816G6BB |
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W9816G6BB
- 36 -
Timing Waveforms, continued
Auto Precharge Timing
(Write Cycle)
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
Act
AP
AP
AP
Write
Act
AP
D0
D0
D0
AP
Act
D1
AP
Act
D1
D2
D3
AP
Act
Write
Write
Write
D0
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
AP
Act
D1
D0
Act
D1
D2
D3
Act
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
Write
Write
Write
Write
D0
(1) CAS Latency = 2
(2) CAS Latency = 3
Write
Act
AP
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate
command to the start of internal precgarging must be at least tRASmin).
represents the Write with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
Note:
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
DQ
DQ
DQ
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
DQ
DQ
DQ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9816G6BB-7 | 512K x 2 BANKS x 16 BITS SDRAM |
| W982516BH | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| W982516BH-7 | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| W982516BH-75 | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| W982516BH75I | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W9816G6BB-7 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K x 2 BANKS x 16 BITS SDRAM |
| W9816G6CB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K 】 2 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
| W9816G6CB-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K 】 2 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
| W9816G6CB-7 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K 】 2 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
| W9816G6CH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K 】 2 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
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