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參數資料
| 型號： | APT60GF60JRDQ3 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 149 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 446K |
| 代理商： | APT60GF60JRDQ3 |
052-6287
Rev
A
4-2006
APT60GF120JRDQ3
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
T
J = 125°C
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
APT60DQ120
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT60GF60JU3 | 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT65GP60JDF2 | 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GN120B2G | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GN120B2 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GN120L | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT60GF60JU2 | 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT60GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT60GL120JU2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP? Boost chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module |
| APT60GL120JU2_10 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP?? Boost chopper Trench Field Stop IGBT4 Power module |
| APT60GL120JU3 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP Buck chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module |
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