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參數資料
| 型號： | W29D040C |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 512K×8bit CMOS Flash Memory(512K×8位CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | 為512k × 8位的CMOS閃存（為512k × 8位的CMOS閃速存儲器） |
| 文件頁數： | 33/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 280K |
| 代理商： | W29D040C |
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W29D040C
Publication Release Date: January 1999
- 33 -
Revision A1
Timing Waveforms, continued
CE Controlled Program Cycle Timing Diagram
Address
CE
5555H
PA
T
AH
Data
WE
OE
T
WHWH1
T
WS
T
CP
T
CPH
A0H
T
WC
PA
Data Polling
T
AS
T
GHEL
5.0 Volt
D
OUT
DQ7
PD
T
DS
T
DH
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ7 is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles of four cycle sequence.
6. These waveforms are for the x 16 mode.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29EE011P | 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE011P-15 | Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:24; No. Strands x Strand Size:7 x 32; Jacket Color:Black; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/1 Type B; Conductor Material:Copper; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
| W29EE011T-90 | 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE011 | 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE011-15 | 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W29EE011 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE011-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| W29EE011-15 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE01115B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE011-15B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|128KX8|CMOS|DIP|32PIN|PLASTIC |
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