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參數資料
| 型號： | W982516BH75I |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數： | 8/43頁 |
| 文件大小： | 1570K |
| 代理商： | W982516BH75I |
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W982516BH
- 8 -
AC Characteristics and Operating Condition
(Vcc = 3.3V
±
0.3V, T
A
= 0 to 70
°
C for -7/-75/75L, T
A
= -40 to 85
°
C for 75I ; Notes: 5, 6, 7, 8)
PARAMETER
SYM.
-7
(PC133, CL2)
MIN.
56
-75/75L/75I
(PC133, CL3)
MIN.
65
UNIT
MAX.
MAX.
Ref/Active to Ref/Active Command Period
t
RC
t
RAS
t
RCD
t
CCD
Active to Precharge Command Period
40
100000
45
100000
nS
Active to Read/Write Command Delay Time
15
20
Read/Write(a) to Read/Write(b) Command
Period
Precharge to Active Command Period
1
1
Cycle
t
RP
t
RRD
t
WR
t
CK
t
CH
t
CL
t
AC
t
OH
t
HZ
t
LZ
t
SB
t
T
15
20
Active(a) to Active(b) Command Period
15
15
Write Recovery Time
CL* = 2
7.5
10
CL* = 3
7
7.5
CLK Cycle Time
CL* = 2
7.5
1000
10
1000
CLK High Level Width
CL* = 3
7
1000
5.4
7.5
2.5
2.5
1000
6
2.5
2.5
CLK Low Level Width
Access Time from CLK
CL* = 2
CL* = 3
5.4
5.4
nS
Output Data Hold Time
3
3
Output Data High Impedance Time
3
7
3
7.5
Output Data Low Impedance Time
0
0
Power-down Mode Entry Time
0
7
0
7.5
Transition Time of CLK
(Rise and Fall)
Data-in Set-up Time
0.5
10
0.5
10
t
DS
t
DH
t
AS
t
AH
t
CKS
t
CKH
t
CMS
t
CMS
t
REF
t
RSC
1.5
1.5
Data-in Hold Time
0.8
0.8
Address Set-up Time
1.5
1.5
Address Hold Time
0.8
0.8
CKE Set-up Time
1.5
1.5
CKE Hold Time
0.8
0.8
Command Set-up Time
1.5
1.5
Command Hold Time
0.8
0.8
Refresh Time
64
64
mS
Mode Register Set Cycle Time
14
15
nS
*CL = CAS Latency
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W982516BH75L | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| W9828BADA | 128MB (16M x 64) PC100 SDRAM MODULE(符合PC100標準的128MB (16M x 64) 同步動態RAM模塊) |
| W9832AADA | 32MB (4M x 64) PC100 SDRAM MODULE(符合PC100標準的32MB (4M x 64) 同步動態RAM模塊) |
| W9832AASA | 32MB (4M x 64) SDRAM SO-DIMM MODULE(32MB (4M x 64)小型雙列直插同步動態RAM模塊) |
| W986408AH | 2M words x 8 bit x 4 Banks SDRAM(2M字 x 8 位 x 4 組同步動態RAM) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W982516BH75L | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| W9825G2JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M ? 4 BANKS ? 32BITS SDRAM |
| W9825G2JB-6 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90TFBGA |
| W9825G2JB-6I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90TFBGA |
| W9825G2JB-75 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 90TFBGA |
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