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參數(shù)資料
| 型號： | W982516BH75I |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 9/43頁 |
| 文件大小： | 1570K |
| 代理商： | W982516BH75I |
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W982516BH
Publication Release Date: December 13, 2001
- 9 -
Revision A2
DC Characteristics
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V, T
A
= 0 to 70
°
C for -7/-75/75L, T
A
= -40 to 85
°
C for 75I)
PARAMETER
SYM.
-7
(PC133, CL2)
-75/75L/75I
(PC133, CL3)
UNIT
NOTES
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Operating Current
t
CK
= min.,
t
RC
= min.
Active precharge command
cycling without burst
operation
1 Bank Operation
I
CC1
80
75
3
Standby Current
t
CK
= min,
CS
= V
IH
CKE = V
IH
I
CC2
40
35
3
V
IH
/
L
= V
IH
(min.)/V
IL
(max.)
Bank: Inactive state
CKE = V
IL
(Power-down mode)
I
CC2P
1
1
3
Standby Current
CLK = V
IL
,
CS
= V
IH
CKE = V
IH
I
CC2S
10
10
V
IH
/
L
= V
IH
(min.)/V
IL
(max.)
BANK: Inactive state
CKE = V
IL
(Power-down mode)
I
CC2PS
1
1
mA
No Operating Current
t
CK
= min.,
CS
= V
IH
(min.)
CKE = V
IH
I
CC3
60
55
BANK: Active state
(4 banks)
CKE = V
IL
(Power-down mode)
I
CC3P
10
10
Burst Operating Current
t
CK
= min.
Read/ Write command cycling
I
CC4
100
95
3, 4
Auto Refresh Current
t
CK
= min.
Auto refresh command cycling
I
CC5
170
160
3
Standard (-7/-75)
3
3
Self Refresh Current
Self Refresh Mode
CKE = 0.2V
Low Power
(75L/75I)
I
CC6L
-
1
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
NOTES
Input Leakage Current
(0V
≤
V
IN
≤
V
CC
, all other pins not under test = 0V)
I
I(L)
-5
5
μ
A
Output Leakage Current
(Output disable, 0V
≤
V
OUT
≤
V
CCQ
)
I
O(L)
-5
5
μ
A
LVTTL Output "H" Level Voltage
(I
OUT
= -2 mA )
V
OH
2.4
-
V
LVTTL Output "L" Level Voltage
(I
OUT
= 2 mA )
V
OL
-
0.4
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W982516BH75L | 4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| W9828BADA | 128MB (16M x 64) PC100 SDRAM MODULE(符合PC100標準的128MB (16M x 64) 同步動態(tài)RAM模塊) |
| W9832AADA | 32MB (4M x 64) PC100 SDRAM MODULE(符合PC100標準的32MB (4M x 64) 同步動態(tài)RAM模塊) |
| W9832AASA | 32MB (4M x 64) SDRAM SO-DIMM MODULE(32MB (4M x 64)小型雙列直插同步動態(tài)RAM模塊) |
| W986408AH | 2M words x 8 bit x 4 Banks SDRAM(2M字 x 8 位 x 4 組同步動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W982516BH75L | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M X 4 BANKS X 16 BIT SDRAM |
| W9825G2JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M ? 4 BANKS ? 32BITS SDRAM |
| W9825G2JB-6 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90TFBGA |
| W9825G2JB-6I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90TFBGA |
| W9825G2JB-75 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 90TFBGA |
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