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參數資料
| 型號： | APT58M50JCU2 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 58 A, 500 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | APT58M50JCU2 |
APT58M50JCU2
APT
58M
50JCU2
–
Rev
0
Septem
b
er
,2009
www.microsemi.com
3- 5
SOT-227 (ISOTOP
) Package Outline
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
Emitter terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Emitter terminal.
Typical Mosfet Performance Curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single P ulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rma
lI
m
p
e
da
nc
e
(
°C
/W
)
Maxim um Effective Transient Therm al Im pedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Source
Gate
Drain
Cathode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT6039BNR | 17 A, 600 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT60GF120JRD | 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT60GF120JRD | 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT60GF60JRDQ3 | 149 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT60GF60JU3 | 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT58M50JCU3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD MOSFET 500V SOT227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES |
| APT58M50JU2 | 功能描述:POWER MOD MOSFET 500V 58A SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:10 系列:* |
| APT58M50JU3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - MOSFET - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD MOSFET 500V 58A SOT-227 |
| APT58M80J | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:* |
| APT58M80J_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
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