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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT65GP60JDF2 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 209K |
| 代理商： | APT65GP60JDF2 |
050-7441
Rev
C
9-2004
APT65GP60JDF2
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
Collector Current
Gate Voltage
Collector Voltage
tr
10%
90%
5%
td(on)
T
J = 125 C
5 %
Switching Energy
Collector Voltage
Collector Current
T
Gate Voltage
t
f
10%
90%
t
d(off)
90%
0
T
J = 125
C
Switching Energy
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
IC
A
D.U.T.
APT30DF60
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT75GN120B2G | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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| APT75GN120L | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT75GN120LG | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT75GN120L | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| APT65GP60L2DQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
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| APT66F60B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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