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參數資料
| 型號： | W39V040AQ |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH LPC INTERFACE |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 3.3V PROM, 11 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 14 MM, STSOP-32 |
| 文件頁數： | 21/34頁 |
| 文件大小： | 384K |
| 代理商： | W39V040AQ |
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W39V040A
Publication Release Date: December 19, 2002
- 21 -
Revision A2
Timing Waveforms for Programmer Interface Mode, continued
Chip Erase Diagram
DQ[7:0]
AA
55
80
AA
55
10
SB2
SB1
SB0
SB3
SB4
SB5
Internal Erasure Starts
T
WP
T
WPH
T
EC
Note: The internal address A[18:0] are converted from external Column/Row address.
Column/Row Address are mapped to the Low/High order internal address.
(Internal A[18:0])
Six-byte code for 3.3V-only software chip erase
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
A[10:0]
#OE
#WE
R/#C
Sector/Page Erase Timing Diagram
SB2
SB1
SB0
A[10:0]
DQ[7:0]
SB3
SB4
SB5
Internal Erase starts
Six-byte code for 3.3V-only
Sector/Page Erase
T
WP
T
WPH
T
EC
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
SA/PA
AA
55
80
AA
55
30/50
SA = Sector Address and PA = Page Address, Please ref. to the "Table of Command Definition"
Note: The internal address A[18:0] are converted from external Column/Row address.
Column/Row Address are mapped to the Low/High order internal address.
i.e. Column Address A[10:0] are mapped to the internal A[10:0],
Row Address A[7:0] are mapped to the internal A[18:11].
(Internal A[18:0])
#OE
#WE
R/#C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W39V040BQ | W39V040B |
| W39V040BQZ | W39V040B |
| W39V040B | W39V040B |
| W39V040BP | W39V040B |
| W39V040BPZ | W39V040B |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W39V040B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:W39V040B |
| W39V040B_07 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K × 8 CMOS FLASH MEMORY WITH LPC INTERFACE |
| W39V040BP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:W39V040B |
| W39V040BPZ | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:W39V040B |
| W39V040BQ | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:W39V040B |
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