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參數資料
| 型號： | W971632AF |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 256K x 32 bit x 2 Banks SGRAM(256K x 32位 x 2組同步圖形RAM) |
| 中文描述： | 256K × 32位× 2銀行SGRAM（256K × 32位× 2組同步圖形RAM）的 |
| 文件頁數： | 3/55頁 |
| 文件大小： | 2653K |
| 代理商： | W971632AF |
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W971632AF
256K x 32 bit x 2 Banks SGRAM
Revision 1.0 Publication Release Date: March, 1999
- 3 -
Pin Assignment
Pin Number
30,31~34,
47~51
Pin Name
A9, A0~A3,
A4~8
Function
Description
Address
Multiplexed pins for row and column address.
Row address: A0 ~ A9. Column address: A0 ~ A7.
Select bank for BankActive, Read, Write, or Bank Precharge
command.
29
BA(A10)
Bank Select
1, 3, 4, 6, 7, 9,
10, 12, 13, 17,
18, 20, 21, 60,
61, 63, 64, 68,
69, 71, 72, 74,
75, 77, 78, 80,
81, 83, 84, 97,
98, 100
DQ0~ DQ31
Data Input/ Output
DQ0~31 are used as data input and output. These pins are masked
during reads and writes by DQM0~3 for each byte.
28
CS#
Chip Select
Disable or enable the command decoder. When command decoder is
disabled, new command is ignored and previous operation continues.
System use CS# for multichip selection.
27
RAS#
Row Address
Strobe
Column Address
Strobe
Write Enable
Clock Inputs
RAS#, CAS# and WE# define the operation to be executed.
26
CAS#
Referred to RAS#
25
55
WE#
CLK
Referred to RAS#
System clock used to sample inputs on the rising edge of clock.
CKE controls the clock activation and deactivation to chip. When
CKE goes low, chip internal clock is suspended. Power Down mode,
Suspend mode, or Self Refresh mode needs CKE goes low.
Used with RAS, CAS, WE to define commands like mask write, block
write, and Special Mode Register Set cycle.
DQM high mask input/output data from write and read, or put DQ in
High Z. DQM0 mask DQ0~7, DQM1 for DQ8~15, DQM2 for
DQ16~23, DQM3 for DQ24~31.
3.3V input for chip logic and input buffers
Ground for chip internal logic and input buffers
54
CKE
Clock Enable
53
DSF
Define Special
Function
23, 24, 56, 57
DQM0~DQM3
Data Input/Output
Mask
15, 35, 65, 96
16, 46, 66, 85
2, 8, 14, 22,
59, 67, 73, 79
5, 11, 19, 62,
70, 76, 82, 99
30, 36-45, 52,
58, 86-95
V
CC
V
SS
Power ( +3.3 V )
Ground
Power ( + 3.3 V )
for I/O buffer
Ground for I/O
buffer
V
CC
Q
Separated power from V
CC
to improve DQ noise immunity.
V
SS
Q
Separated ground from V
SS
to improve output buffers noise immunity.
NC
No Connection
No connection
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W981208AH | 4M x 8 bit x 4 Banks SDRAM |
| W981208BH | 4M x 4 BANKS x 8 BIT SDRAM |
| W981208AH-75 | x8 SDRAM |
| W981208AH-8H | x8 SDRAM |
| W981208BH-7 | x8 SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W971GG6JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 8 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W971GG6JB-18 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:1GB DDR2 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 1.875NS |
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| W971GG6JB-25I | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:-40~85 1GB DDR2 FOR INDUSTRY |
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