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參數資料
| 型號： | W971632AF |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 256K x 32 bit x 2 Banks SGRAM(256K x 32位 x 2組同步圖形RAM) |
| 中文描述： | 256K × 32位× 2銀行SGRAM（256K × 32位× 2組同步圖形RAM）的 |
| 文件頁數： | 9/55頁 |
| 文件大小： | 2653K |
| 代理商： | W971632AF |
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W971632AF
256K x 32 bit x 2 Banks SGRAM
Revision 1.0 Publication Release Date: March, 1999
- 9 -
Operation Mode
Fully synchronous operations are performed to latch the commands at the positive edges of CLK.
The truth table for the operation commands.
Truth Table ( note (1) , (2) )
Command
Current StateCKEn-1
Idle(3)
Idle(3)
Any
Any
Active(3)
Active(3)
Active(3)
Active(3)
Active(3)
Active(3)
CKEn
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
DQM(7)
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
BS
V
V
V
X
V
V
V
V
V
V
V
X
X
X
X
X
X
A8
V
V
L
H
L
L
H
H
L
H
V
X
X
X
X
X
X
A0-7, 9
V
V
X
X
V
V
V
V
V
V
V
V
X
X
X
X
X
CS
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
H
L
X
X
X
H
L
X
X
RAS
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
X
L
L
X
H
X
X
X
X
H
X
X
CAS
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
X
L
L
X
H
X
X
X
X
H
X
X
WE
H
H
L
L
L
L
L
L
H
H
L
L
H
L
X
H
H
X
H
X
X
X
X
H
X
X
DSF
L
H
L
L
L
H
L
H
L
L
L
H
X
L
X
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
Bank Active & Mask Write Disable
Bank Active & Mask write Enable
Bank Prechage
Precharge All
Write
Mask Block Write
Write with Auto Precharge
Mask BW with Auto Precharge
Read
Read with Auto Precharge
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Mode Register Set
Special Mode Register Set
No – Operation
Burst Stop
Device Deselect
Auto – Refresh
Self - Refresh Entry
Idle
Idle(5)
Any
Active(4)
Any
Idle
Idle
Idle
(Self Refresh)
Active
Any(6)
Active
Any
(power-down)
Active
Active
Self Refresh Exit
L
H
X
X
X
X
Clock suspend Mode Entry
Power Down Mode Entry
Clock Suspend Mode Exit
H
H
L
L
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
Power Down Mode Exit
L
H
X
X
X
X
Data write/Output Enable
Data Write/Output Disable
H
H
X
X
L
H
X
X
X
X
X
X
Notes: (1) V= Valid X = Don't care L= Low Level H= High Level
(2) CKEn signal is the input level when the command is issued
CKEn-1 signal is the input level one clock cycle before the command is issued
(3) The bank state is designated by the BS signal
(4) Device state sre 1, 2, 4, 8 and Full Page Burst operation.
(5) The Special Mode Register Set operation is also available in Row Active state
(6) Power-down mode cannot be initiated during a Burst cycle.
When this command asserts during a Burst cycle, the device enters Clock Suspend mode.
(7) DQM0 to DQM3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W981208AH | 4M x 8 bit x 4 Banks SDRAM |
| W981208BH | 4M x 4 BANKS x 8 BIT SDRAM |
| W981208AH-75 | x8 SDRAM |
| W981208AH-8H | x8 SDRAM |
| W981208BH-7 | x8 SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W971GG6JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 8 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W971GG6JB-18 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:1GB DDR2 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 1.875NS |
| W971GG6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:64MBX16 DDR2 制造商:Winbond 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA |
| W971GG6JB25I | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| W971GG6JB-25I | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:-40~85 1GB DDR2 FOR INDUSTRY |
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