- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄363908 > W971632AF (WINBOND ELECTRONICS CORP) 256K x 32 bit x 2 Banks SGRAM(256K x 32位 x 2組同步圖形RAM) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | W971632AF |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 256K x 32 bit x 2 Banks SGRAM(256K x 32位 x 2組同步圖形RAM) |
| 中文描述： | 256K × 32位× 2銀行SGRAM（256K × 32位× 2組同步圖形RAM）的 |
| 文件頁數： | 40/55頁 |
| 文件大小： | 2653K |
| 代理商： | W971632AF |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁當前第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁
W971632AF
256K x 32 bit x 2 Banks SGRAM
Revision 1.0 Publication Release Date: March, 1999
- 40 -
Auto Precharge timing ( Read Cycle )
Read
Act
AP
Read
Act
AP
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
Q1
Q1
Q0
Read
AP
Act
Q1
Read
AP
Act
Q2
Q2
Q3
Q3
Q0
Q4
Q5
Q6
Q7
Q0
AP
Act
Read
(3) CAS Latency=4
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate
command to the start of internal precgarging must be at least tRAS(min).
represents the Read with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
Note )
t
RP
t
RP
t
RP
t
RP
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
DQ
DQ
DQ
Q0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W981208AH | 4M x 8 bit x 4 Banks SDRAM |
| W981208BH | 4M x 4 BANKS x 8 BIT SDRAM |
| W981208AH-75 | x8 SDRAM |
| W981208AH-8H | x8 SDRAM |
| W981208BH-7 | x8 SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W971GG6JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 8 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W971GG6JB-18 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:1GB DDR2 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 1.875NS |
| W971GG6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:64MBX16 DDR2 制造商:Winbond 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA |
| W971GG6JB25I | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| W971GG6JB-25I | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:-40~85 1GB DDR2 FOR INDUSTRY |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。