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參數資料
| 型號： | W971632AF |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 256K x 32 bit x 2 Banks SGRAM(256K x 32位 x 2組同步圖形RAM) |
| 中文描述： | 256K × 32位× 2銀行SGRAM（256K × 32位× 2組同步圖形RAM）的 |
| 文件頁數： | 6/55頁 |
| 文件大小： | 2653K |
| 代理商： | W971632AF |
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W971632AF
256K x 32 bit x 2 Banks SGRAM
Revision 1.0 Publication Release Date: March, 1999
- 6 -
AC CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITION ( 5, 6, 7 )
(Vcc=3.3V
±
0.3V, Ta=0
°
to 70
°
C)
-7
-8
-10
SYMBOL
PARAMETER
MIN
70
49
21
7
21
14
7
7
12
2.5
2.5
MAX
MIN
72
48
24
8
24
16
8
8
13
3
3
MAX
MIN
80
50
30
10
30
20
10
10
15
3.5
3.5
MAX
UNIT
NOTE
t
RC
t
RAS
t
RCD
t
CCD
t
RP
t
RRD
t
WR
t
CK
Ref/Active to Ref/Active Command Period
Active to Precharge Command Period
Active to Read/Write Command Delay
Read/Write to Read/Write Command Period
Precharge to Active Command Period
Active to Active Command Period
Write Recovery Time
CLK Cycle Time (CL=3)
CLK Cycle Time (CL=2)
CLK High Level width
CLK Low Level width
Access Time from CLK (CL=3)
Access Time from CLK (CL=2)
Output Data Hold Time
Output Data High Impedance Time
Output Data Low Impedance Time
Transition Time of CLK (Rise and Fall)
Data-in Set-up Time
Data-in Hold Time
Address Set-up Time
Address Hold Time
CKE Set-up Time
CKE Hold Time
Command Set-up Time
Command Hold Time
Refresh Time
Mode Register Set Cycle Time
Block Write Cycle Time
Block Write to precharge Time
100000
100000
100000
1000
1000
1000
t
CH
t
CL
t
AC
6
7
6.5
7
7
8
t
OH
t
HZ
t
LZ
t
T
t
DS
t
DH
t
AS
t
AH
t
CKS
t
CKH
t
CMS
t
CMH
t
REF
t
RSC
t
BWC
t
BWL
2.5
2.5
2.5
ns
6
6.5
7
8
8
1
1
1
1
1
0.5
2
1
2
1
2
1
2
1
10
10
10
2.5
1
2.5
1
2.5
1
2.5
1
2.5
1
2.5
1
2.5
1
2.5
1
32
32
32
ms
14
7
7
16
8
8
20
10
10
ns
(CL=CAS Latency)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W981208AH | 4M x 8 bit x 4 Banks SDRAM |
| W981208BH | 4M x 4 BANKS x 8 BIT SDRAM |
| W981208AH-75 | x8 SDRAM |
| W981208AH-8H | x8 SDRAM |
| W981208BH-7 | x8 SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W971GG6JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 8 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W971GG6JB-18 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:1GB DDR2 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 1.875NS |
| W971GG6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:64MBX16 DDR2 制造商:Winbond 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA |
| W971GG6JB25I | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| W971GG6JB-25I | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:-40~85 1GB DDR2 FOR INDUSTRY |
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